Invention Grant
CN110195255B 一种极性晶体La3SbS5Cl2及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种极性晶体La3SbS5Cl2及其制备方法
-
Application No.: CN201910607502.3Application Date: 2019-07-04
-
Publication No.: CN110195255BPublication Date: 2020-11-24
- Inventor: 赵华俊 , 伍远辉
- Applicant: 遵义师范学院
- Applicant Address: 贵州省遵义市新蒲新区平安大道
- Assignee: 遵义师范学院
- Current Assignee: 遵义师范学院
- Current Assignee Address: 贵州省遵义市新蒲新区平安大道
- Agency: 重庆强大凯创专利代理事务所
- Agent 幸云杰
- Main IPC: C30B28/02
- IPC: C30B28/02 ; C30B1/10 ; C30B29/46
Abstract:
本发明公开了人工晶体领域中的一种极性晶体La3SbS5Cl2及其制备方法，该晶体为非心结构硫氯混合阴离子化合物，晶系为单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数β＝99.056(7)°,单胞体积该制备方法包括单质镧、单质锑、三氯化锑和单质硫在真空条件下的固相反应。
Public/Granted literature
- CN110195255A 一种极性晶体La3SbS5Cl2及其制备方法 Public/Granted day:2019-09-03
Information query
