Invention Publication
- Patent Title: 一种ZnO/ZnS/CdS光阳极薄膜及其制备方法
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Application No.: CN201910441575.XApplication Date: 2019-05-24
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Publication No.: CN110205634APublication Date: 2019-09-06
- Inventor: 李伟华 , 陈昊翔
- Applicant: 中山大学
- Applicant Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- Assignee: 中山大学
- Current Assignee: 中山大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- Agency: 广州粤高专利商标代理有限公司
- Agent 陈卫
- Main IPC: C23F13/14
- IPC: C23F13/14 ; C01G9/08 ; C01G9/02 ; C01G11/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00

Abstract:
本发明公开了一种ZnO/ZnS/CdS光阳极薄膜及其制备方法。包括以下步骤:将锌盐完全溶解于溶剂中后,将其滴涂在预处理后的FTO导电玻璃上,在350~385℃空气氛围中煅烧2~3h,将其放入锌盐和六亚甲基四胺的混合溶液中,在90~98℃下反应4~8h,得到ZnO纳米棒阵列膜后,置于硫源溶液中,于85~95℃下加热4~16h,得到ZnO/ZnS纳米管阵列膜后,置于镉源醇溶液中,在165~180℃下加热4~8h,即得。本发明克服了传统CdS、ZnO材料稳定性低的问题,同时提升了ZnO材料的光吸收范围,可同时获得高效率、零能耗、长寿命、可对被保护的金属进行阴极极化的光阳极复合材料。
Public/Granted literature
- CN110205634B 一种ZnO/ZnS/CdS光阳极薄膜及其制备方法 Public/Granted day:2021-04-20
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IPC分类: