Invention Grant
- Patent Title: 二次电池及其制造方法
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Application No.: CN201880007747.6Application Date: 2018-01-23
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Publication No.: CN110214384BPublication Date: 2022-06-03
- Inventor: 胁元亮一 , 古川博文 , 山田博之
- Applicant: 三洋电机株式会社
- Applicant Address: 日本国大阪府
- Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee: 三洋电机株式会社
- Current Assignee Address: 日本国大阪府
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 高颖
- Priority: 2017-011354 20170125 JP
- International Application: PCT/JP2018/001995 2018.01.23
- International Announcement: WO2018/139451 JA 2018.08.02
- Date entered country: 2019-07-19
- Main IPC: H01M50/574
- IPC: H01M50/574 ; H01M50/531 ; H01M50/536

Abstract:
在封口板(2)的电极体侧隔着第1绝缘构件(10)配置在电极体侧具有导电构件开口部(61f)的导电构件(61)。导电构件(61)的导电构件开口部(61f)被变形板(62)密封,在变形板(62)连接与正极板电连接的第1正极集电体(6a)。在变形板(62)与第1正极集电体(6a)之间配置第2绝缘构件(63)。在第2绝缘构件(63)的电极体侧的面设置固定用突起(63f)和防止偏离用突起(63g)。固定用突起(63f)配置于第1正极集电体(6a)的固定用孔(6d)内,在前端部形成扩径部(63f1),第2绝缘构件(63)固定在第1正极集电体(6a)。第2绝缘构件(63)的防止偏离用突起(63g)配置于第1正极集电体(6a)的防止偏离用孔(6e)内。
Public/Granted literature
- CN110214384A 二次电池及其制造方法 Public/Granted day:2019-09-06
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