- 专利标题: 用于镁锂合金激光表面改性的低熔点高熵合金粉末及其制备方法和应用
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申请号: CN201910646487.3申请日: 2019-07-17
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公开(公告)号: CN110230056B公开(公告)日: 2021-06-11
- 发明人: 崔秀芳 , 温鑫 , 金国 , 姜力鹏 , 张学润 , 万思敏 , 张丹
- 申请人: 哈尔滨工程大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工程大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区南通大街145号
- 代理机构: 哈尔滨市松花江专利商标事务所
- 代理商 岳泉清
- 主分类号: C23C24/10
- IPC分类号: C23C24/10 ; B22F9/04 ; C22C30/04 ; C22C30/02
摘要:
用于镁锂合金激光表面改性的低熔点高熵合金粉末及其制备方法和应用,本发明属于金属材料改性技术领域,它为了解决现有镁锂合金表面制备的强化涂层与镁锂合金热物匹配度差,容易导致熔覆过程中镁锂合金发生烧损,降低涂层性能的问题。本发明用于镁锂合金激光表面改性的低熔点高熵合金粉末按原子百分含量由1%~35%的Al、1%~35%的Sn、1%~35%的Cu、1%~35%的Mn、1%~5%的Mg、0%~10%的调节涂层熔点材料和0%~5%的稀土氧化物组成。应用方法:采用激光熔覆在镁锂合金表面制备高熵合金涂层。本发明在镁锂合金表面沉积的低熔点高熵合金涂层能够实现镁锂合金耐蚀、耐磨性能的显著提高,有效提升服役寿命。
公开/授权文献
- CN110230056A 用于镁锂合金激光表面改性的低熔点高熵合金粉末及其制备方法和应用 公开/授权日:2019-09-13
IPC分类: