Invention Publication
- Patent Title: 一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiCMOSFET变流器
- Patent Title (English): Layout method of SiC MOSFET converter and SiC MOSFET converter
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Application No.: CN201910418846.XApplication Date: 2019-05-20
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Publication No.: CN110266179APublication Date: 2019-09-20
- Inventor: 宋振浩 , 吴鸣 , 郑楠 , 吕志鹏 , 孙丽敬 , 季宇 , 李蕊 , 寇凌峰 , 赵婷
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Agency: 北京安博达知识产权代理有限公司
- Agent 徐国文
- Main IPC: H02M1/00
- IPC: H02M1/00 ; H02M1/08 ; H02M7/00

Abstract:
本发明公布了一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器,布局方法包括:SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8);所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2);所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3),所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4);所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接,用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。本发明将SiC MOSFET驱动模块直插于SiC MOSFET模块栅源极上,保证SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接满足SiC MOSFET模块的开关速度。
Public/Granted literature
- CN110266179B 一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiCMOSFET变流器 Public/Granted day:2022-02-25
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