一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiCMOSFET变流器
Abstract:
本发明公布了一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiC MOSFET变流器,布局方法包括:SiC MOSFET模块(1)的交流端口(7)经U型母排(11)连接至三相电感(8);所述SiC MOSFET模块(1)的栅源极上直插着SiC MOSFET驱动模块(2);所述SiC MOSFET模块(1)的直流端口垂直插着直流母排(3),所述直流母排(3)两侧分别安装电容(4);所述SiC MOSFET驱动模块(2)与控制器(5)连接,用于通过控制SiC MOSFET驱动模块(2)驱动SiC MOSFET模块(1)。本发明将SiC MOSFET驱动模块直插于SiC MOSFET模块栅源极上,保证SiC MOSFET驱动模块与SiC MOSFET模块栅源极之间的连接满足SiC MOSFET模块的开关速度。
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