Invention Grant
- Patent Title: 一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiCMOSFET变流器
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Application No.: CN201910418846.XApplication Date: 2019-05-20
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Publication No.: CN110266179BPublication Date: 2022-02-25
- Inventor: 宋振浩 , 吴鸣 , 郑楠 , 吕志鹏 , 孙丽敬 , 季宇 , 李蕊 , 寇凌峰 , 赵婷
- Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司
- Applicant Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- Current Assignee: 中国电力科学研究院有限公司,国家电网有限公司
- Current Assignee Address: 北京市海淀区清河小营东路15号
- Agency: 北京安博达知识产权代理有限公司
- Agent 徐国文
- Main IPC: H02M1/00
- IPC: H02M1/00 ; H02M1/08 ; H02M7/00
Public/Granted literature
- CN110266179A 一种SiC MOSFET变流器的布局方法及SiCMOSFET变流器 Public/Granted day:2019-09-20
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