本发明公开了一种集成电路光刻蚀结构，包括第一导体和第二导体，第一导体与第二导体均通过预设版图光刻蚀而成；预设版图包括对应第一导体的第一遮蔽图形，以及对应第二导体的第二遮蔽图形；第一遮蔽图形包括至少一个沿预设方向延伸的遮蔽指。在光刻蚀工艺中由于光学邻近效应会使得版图中的拐角处发生畸变，由于受制备工艺中随机扰动的影响，该畸变具有较强的随机性，使得集成电路光刻蚀结构的寄生电容值也不相同。该集成电路光刻蚀结构可以较好的捕获集成电路生产过程中的工艺随机扰动，可用于生成集成电路的标识信息；使用该集成电路光刻蚀结构的制作成本很低。本发明还提供了一种制备方法及一种集成电路，同样具有上述有益效果。