发明公开
- 专利标题: 一种电容生产后处理方法及系统
- 专利标题(英): Capacitor production aftertreatment method and system
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申请号: CN201910388029.4申请日: 2019-05-10
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公开(公告)号: CN110280496A公开(公告)日: 2019-09-27
- 发明人: 郭维民
- 申请人: 无锡立赫智能科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G10-501
- 专利权人: 无锡立赫智能科技有限公司
- 当前专利权人: 广州金立电子有限公司
- 当前专利权人地址: 510700 广东省广州市黄埔区开源大道玉岩路6号
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 吴芳
- 主分类号: B07C5/34
- IPC分类号: B07C5/34 ; B07C5/342 ; B07C5/344 ; B07C5/02 ; B07C5/36 ; B07C3/02 ; B07C3/12
摘要:
本申请提供一种电容生产后处理方法及系统,处理方法包括:将老化后的电容下料至特定的物料框中,物料框上设有第一电子标签;将物料框运输至线边仓,使物料框中的电容静置降温;根据工单信息和第一电子标签存储信息,从线边仓取出对应于工单信息的物料框;对降温后的电容进行二次特性分选,分选出良品电容;根据工单信息对良品电容进行适用性处理,得到预设规格的电容产品;对电容产品进行外观检测,分选出外观良品电容,将其包装至包装盒中,并为包装盒植入第二电子标签;将植入有第二电子标签的包装盒运送存放至成品尾料仓中。本发明实现整个电容老化后的后处理过程,利用RFID技术,实现电容成品的自动化封仓,提高电容出货效率,降低人工成本。
公开/授权文献
- CN110280496B 一种电容生产后处理方法及系统 公开/授权日:2021-01-08