发明公开
- 专利标题: 原位负载硒掺杂二硫化钼/过渡金属硼化物纳米材料的制备及应用
- 专利标题(英): Preparation and application of in-situ loaded selenium-doped molybdenum disulfide/transition metal boride nanomaterial
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申请号: CN201910541461.2申请日: 2019-06-21
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公开(公告)号: CN110284146A公开(公告)日: 2019-09-27
- 发明人: 吴则星 , 宋敏 , 刘希恩
- 申请人: 青岛科技大学
- 申请人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路99号
- 专利权人: 青岛科技大学
- 当前专利权人: 青岛科技大学
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路99号
- 代理机构: 青岛中天汇智知识产权代理有限公司
- 代理商 郝团代
- 主分类号: C25B1/04
- IPC分类号: C25B1/04 ; C25B11/06
摘要:
原位负载硒掺杂二硫化钼/过渡金属硼化物纳米材料的制备及应用,属于电催化材料合成技术领域。其制备过程包括以下步骤:(1)将碳布分别在丙酮、乙醇、超纯水中超声10分钟,备用;(2)将钼盐与硫源按比例在超纯水中溶解,搅拌至混合均匀;(3)将均匀的溶液转移至反应釜中并放入碳布,180℃保持12小时后,将碳布取出依次用乙醇、超纯水冲洗干净,干燥。(4)将(3)的碳布与过渡金属盐和硼氢化钠反应。(5)将步骤(4)所得碳布与硒粉以不同比例低温处理。本发明得到的催化剂材料表现出优异的电催化性能,且制备工艺简单,成本低廉,适合大规模生产。