本发明涉及闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，在闪存的制造过程中，进行CRS工艺时，使用的光罩掩膜版，使进行CRS工艺后半导体衬底上的各场氧化层的第一部分区域内形成一凹槽，并凹槽上方用于在后续工艺中形成闪存的控制栅极，使半导体衬底上的各场氧化层的除第一部分区域之外的第二部分区域内不形成凹槽，以使控制栅极之间的场氧层不被刻蚀掉，后续栅间介质层生长就是平坦的,控制栅极的DEP也是平坦的，对于控制栅极的刻蚀更加容易，所以控制栅极间的均匀性也会更好，大大提高了闪存的性能。