本申请公开了一种巨量转印方法及巨量转印装置，其中，所述巨量转印方法在第一衬底通过形成第一固定层和第二固定层，并分别对第一固定层和第二固定层进行图案化的方法，形成了利用剩余的第一固定层作为锚定结构与第一衬底绑定的结构，且所述待转印芯片在通过转印设备转印之前不与所述第一衬底相连，处于悬空状态，使得所述转印设备仅需要拉断锚定结构对待转印芯片的连接即可实现待转印芯片的转印过程，整个巨量转印过程无需形成牺牲层，从而无需考虑牺牲层和待转印芯片的外延结构之间的匹配问题，避免了由于在巨量转印过程中生长的牺牲层与外延结构的匹配不良，而导致的外延结构的生长质量较差的问题。