发明授权
- 专利标题： 声表面波元件
-
申请号： CN201880012879.8申请日： 2018-02-15
-
公开(公告)号： CN110313130B公开(公告)日： 2023-02-28
- 发明人: 大门克也 , 道上彰
- 申请人： 株式会社村田制作所
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人： 株式会社村田制作所
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 李国华
- 优先权： 2017-031360 20170222 JP
- 国际申请： PCT/JP2018/005286 2018.02.15
- 国际公布： WO2018/155305 JA 2018.08.30
- 进入国家日期： 2019-08-20
- 主分类号： H03H9/25
- IPC分类号： H03H9/25 ; H03H9/145
摘要：
一种声表面波元件(10)，具备包含LiNbO3压电单晶的基板(101)、设置在基板(101)上的第一电介质层(122)、以及设置在第一电介质层(122)上的IDT电极(121)，利用瑞利波，在基板(101)传播高频信号。
公开/授权文献
- CN110313130A 声表面波元件 公开/授权日：2019-10-08
