本发明公开了一种消除天线效应的方法，该消除天线效应的方法用于解决特定版图结构所引起的天线效应，所述特定版图结构由MOM电容和MOS管叠加而成，一个所述MOM电容与多个所述MOS管组成一个电容单元，所述MOM电容的正极与所述MOS管的栅极相连，并连接电源；所述MOM电容的负极与所述MOS管的源极以及漏极均相连，并与P型衬底相接触，所述消除天线效应的方法包括：获取天线效应安全范围内的所述电容单元的个数临界值N；将N个所述电容单元组成的阵列中的其中一个MOS管替换为反接的二极管。该消除天线效应的方法能够以最小的面积消耗为代价消除晶体管和金属电容叠加结构的芯片的天线效应。