Invention Grant
- Patent Title: 差分输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列
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Application No.: CN201910649793.2Application Date: 2019-07-18
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Publication No.: CN110364813BPublication Date: 2020-09-15
- Inventor: 唐慧 , 陈建新 , 葛杰 , 褚慧
- Applicant: 南通大学
- Applicant Address: 江苏省南通市啬园路9号
- Assignee: 南通大学
- Current Assignee: 南通大学技术转移中心有限公司
- Current Assignee Address: 226000 江苏省南通市啬园路9号
- Agency: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司
- Agent 郭伟刚; 张蓉
- Main IPC: H01Q1/50
- IPC: H01Q1/50 ; H01Q21/00 ; H01P7/10
Abstract:
本发明公开了一种差分输入端口SIW馈电结构以及天线阵列,包括TE10模SIW和位于所述TE10模SIW上方的TE20模SIW,所述TE10模SIW包括面对面错开的一对功分结构,每一功分结构包括朝向第一方向的N级功分臂,两个所述功分结构的2N个最后级功分臂面对面设置,并在第二方向上错开TE10模横向半波长的宽度一一对接且对接线沿第一方向;TE10模SIW顶部沿对接线开设2N个第一耦合缝隙以提供2N个具有反相特性的信号激励所述TE20模SIW,第一耦合缝隙的间隔设置为TE20模横向半波长的宽度,所述TE20模SIW包括2N个TE20模SIW腔,所述2N个TE20模SIW腔顶部形成有与之一一对应的2N组第二耦合缝隙,每一组由M对第二耦合缝隙组成,每一对第二耦合缝隙输出一对差分信号,以激励辐射单元阵形成天线阵列。
Public/Granted literature
- CN110364813A 差分输入端口的SIW馈电结构以及天线阵列 Public/Granted day:2019-10-22
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