- 专利标题： 一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法
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申请号： CN201810327208.2申请日： 2018-04-12
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公开(公告)号： CN110372347B公开(公告)日： 2021-10-01
- 发明人: 赵相毓 , 姜少虎 , 姚晓刚 , 张奕 , 顾忠元 , 林慧兴 , 何飞 , 任海深
- 申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址： 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构： 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理商 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号： H01B3/12
- IPC分类号： H01B3/12 ; C04B35/16 ; C04B35/622
摘要：
本发明提供一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法，所述微波介质陶瓷材料包括主要成分Zn2SiO4微波介质陶瓷和添加剂B2O3‑ZnO‑Nb2O5‑TiO2微晶玻璃，所述B2O3‑ZnO‑Nb2O5‑TiO2微晶玻璃的含量为2.0～8.0wt%；所述B2O3‑ZnO‑Nb2O5‑TiO2微晶玻璃的组分为（13.00～15.50）mol%B2O3‑（24.00～26.00）mol%ZnO‑（7.00～8.00）mol%Nb2O5‑（50.00～52.00）mol%TiO2，各组分之和为100mol%。
公开/授权文献
- CN110372347A 一种低损耗低介电常数微波陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日：2019-10-25
