发明授权
CN110376250B 一种金属纳米粒配体修饰的集成电路和制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 一种金属纳米粒配体修饰的集成电路和制备方法
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申请号： CN201910590616.1申请日： 2019-07-02
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公开(公告)号： CN110376250B公开(公告)日： 2022-03-18
- 发明人: 蒋中英 , 雷一腾 , 肖璐梅 , 李阳
- 申请人： 伊犁师范大学
- 申请人地址： 新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州伊宁市解放西路448号
- 专利权人： 伊犁师范大学
- 当前专利权人： 伊犁师范大学
- 当前专利权人地址： 新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州伊宁市解放西路448号
- 代理机构： 北京保识知识产权代理事务所
- 代理商 张晶
- 主分类号： G01N27/00
- IPC分类号： G01N27/00 ; B82Y30/00
摘要：
本发明公开了一种金属纳米粒配体修饰的集成电路和制备方法，属于电子产品领域。一种金属纳米粒配体修饰的集成电路和制备方法，这种化电电路可以在湿润的环境中使用，解决了传统硅制电路不能防水的缺点，并且封装用的聚二甲基硅氧烷外壳材料柔韧性好，不易折断。该电路耗能低，在微瓦范围，并且将化学信号转变为电信号所需时间短，即灵敏度高。相较于传统集成电路，纳米粒的制作是无毒害无污染的，具有环保性。
公开/授权文献
- CN110376250A 一种金属纳米粒配体修饰的集成电路和制备方法 公开/授权日：2019-10-25
