发明授权
- 专利标题： 使用自旋霍尔效应的磁传感器
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申请号： CN201880018984.2申请日： 2018-03-02
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公开(公告)号： CN110418973B公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: Q·勒 , D·J·西格尔 , X·刘 , D·莫里 , Y·奥恩 , H·江 , G·刘 , D·P·德鲁伊斯特 , J-L·李
- 申请人： 西部数据技术公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 西部数据技术公司
- 当前专利权人： 西部数据技术公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 孙尚白
- 优先权： 62/518,540 20170612 US 15/826,578 20171129 US
- 国际申请： PCT/US2018/020796 2018.03.02
- 国际公布： WO2018/231292 EN 2018.12.20
- 进入国家日期： 2019-09-18
- 主分类号： G01R33/07
- IPC分类号： G01R33/07 ; G01R33/09 ; G01R33/12
摘要：
本发明提供了使用自旋霍尔效应的磁传感器及其制造方法。一种此类磁传感器包括：自旋霍尔层，该自旋霍尔层包含导电的非磁性材料；磁性自由层，该磁性自由层与自旋霍尔层相邻；一对推动端子，该一对推动端子被配置成使电流能够在垂直于自由层和自旋霍尔层的平面的方向上穿过磁性自由层和自旋霍尔层；和一对感测端子，该一对感测端子被配置成感测当电流穿过磁性自由层和自旋霍尔层时的电压，其中推动端子和感测端子中的每一者与其他端子电隔离。
公开/授权文献
- CN110418973A 使用自旋霍尔效应的磁传感器 公开/授权日：2019-11-05
