发明公开
- 专利标题: 铜基铬二铌电触头材料及其制备方法,铜基电触头和空气型高压隔离开关
- 专利标题(英): Copper-based chrome-tantalum electrical contact material and preparation method thereof, copper-based electrical contact, and air type high-voltage isolating switch
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申请号: CN201910660837.1申请日: 2019-07-22
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公开(公告)号: CN110444414A公开(公告)日: 2019-11-12
- 发明人: 韩建军 , 刘源 , 钱文晓 , 袁竭 , 郭金刚 , 党乐 , 张俊双 , 张云良
- 申请人: 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院 , 河北清华发展研究院 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区如意开发区鄂尔多斯东街11号
- 专利权人: 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院,河北清华发展研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 国网内蒙古东部电力有限公司电力科学研究院,河北清华发展研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区如意开发区鄂尔多斯东街11号
- 代理机构: 北京华进京联知识产权代理有限公司
- 代理商 孙岩
- 主分类号: H01H1/025
- IPC分类号: H01H1/025 ; H01H11/04
摘要:
本发明涉及一种铜基铬二铌电触头材料,包括纯铜层以及形成在所述纯铜层上的复合层,所述复合层包括依次层叠设置的多层Cu-Cr2Nb合金层,每层所述Cu-Cr2Nb合金层包括不同质量百分含量的Cu和Cr2Nb,且所述Cu和Cr2Nb的质量百分含量在厚度方向上呈梯度分布,从所述纯铜层往上,每层所述Cu-Cr2Nb合金层中Cr2Nb质量百分含量依次增加。
公开/授权文献
- CN110444414B 铜基铬二铌电触头材料及其制备方法,铜基电触头和空气型高压隔离开关 公开/授权日:2021-11-02