一种可控硅芯片及其制造方法，包括在长基区一侧设有阳极发射区并形成第一PN结，在长基区另一侧设有短基区并形成第二PN结，在短基区上还设有阴极发射区并形成第三PN结，隔离墙，形成于阳极发射区、长基区和短基区的周边，并与阳极发射区掺有同种杂质，所述隔离墙上通过干法刻蚀开设有第一沟槽，所述第一沟槽为窄深槽，电压槽，其形成于隔离墙和短基区之间，用于阻断隔离墙和短基区的电气连接。通过干法刻蚀在可控硅芯片上应用，可快速与材料进行反应，刻蚀去除得到一窄深槽，形成窄深槽产生的应力小，窄深槽槽宽的横向距离少，减少台面的损失距离，窄深槽极大减少扩散深度，进而减少扩散形成隔离墙的时间，降低产品的失效应力，提高产品的可靠性。