Invention Grant
- Patent Title: 一种全息光栅模板及其制备方法
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Application No.: CN201910785400.0Application Date: 2019-08-23
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Publication No.: CN110456435BPublication Date: 2021-10-01
- Inventor: 杨渝书 , 伍强 , 李艳丽
- Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司
- Current Assignee: 上海集成电路研发中心有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号
- Agency: 上海思微知识产权代理事务所
- Agent 曹廷廷
- Main IPC: G02B5/18
- IPC: G02B5/18 ; G02B5/32 ; G03F7/00
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Abstract:
本发明提供一种全息光栅模板及其制备方法,全息光栅模板的制备方法包括:提供一衬底,衬底上依次形成有硬掩模层和图形化的光刻胶层,光刻胶层具有图形;以图形化的光刻胶层为掩模,刻蚀硬掩模层,将图形复制至硬掩模层中,以形成图形化的硬掩模层;对衬底执行离子注入工艺,在离子注入区得到光栅模板图形区;刻蚀硬掩模层并暴露出衬底;刻蚀衬底的非离子注入区,以暴露出光栅模板图形区,并形成全息光栅模板。通过离子注入工艺得到所需形状的光栅结构区,经过高刻蚀选择比刻蚀保留光栅结构区,从而得到全息光栅模板,工艺难度较低,工艺可行性高;通过在衬底上直接形成光栅结构区,避免了光刻工艺的转版步骤,减少了工艺步骤,降低了生产成本。
Public/Granted literature
- CN110456435A 一种全息光栅模板及其制备方法 Public/Granted day:2019-11-15
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