Invention Publication
CN110473966A 光电转换元件的制造方法
无效 - 撤回
- Patent Title: 光电转换元件的制造方法
- Patent Title (English): Method for manufacturing a photoelectric conversion element
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Application No.: CN201910381826.XApplication Date: 2019-05-08
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Publication No.: CN110473966APublication Date: 2019-11-19
- Inventor: 杉村博 , 宫西晋太郎
- Applicant: 夏普株式会社
- Applicant Address: 日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
- Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee: 夏普株式会社
- Current Assignee Address: 日本国大阪府堺市堺区匠町1番地
- Agency: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- Agent 汪飞亚; 习冬梅
- Priority: 2018-090671 2018.05.09 JP
- Main IPC: H01L51/42
- IPC: H01L51/42 ; H01L51/48

Abstract:
本发明提供以简便的方法制造具有较高的光电转换效率的光电转换元件的方法。光电转换元件1的制造方法包含如下工序:形成工序,使空穴传输材料附着于光吸收层6及导电层8中的一者上,形成含有空穴传输材料的空穴传输层7;熔融工序,将空穴传输层7加热至空穴传输材料的熔点以上且为120℃以上、170℃以下的温度,使空穴传输层7熔融;以及粘接工序,一面使光吸收层6及导电层8中的另一者压接于熔融的空穴传输层7上,一面进行冷却,由此经由空穴传输层7而将光吸收层6与导电层8粘接。光吸收层6含有通式(1)所表示的化合物。于通式(1)中,A为有机分子,B为金属原子,X为卤素原子。[化1]ABX3 (1)
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