- 专利标题: 波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器
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申请号: CN201910818563.4申请日: 2019-08-30
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公开(公告)号: CN110501781B公开(公告)日: 2020-09-08
- 发明人: 乔磊 , 廖志军 , 刘瑞 , 郑哲 , 崔文朋 , 池颖英 , 陈婷 , 李春晖 , 李纪平
- 申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网江西省电力有限公司 , 国家电网有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国网江西省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人: 北京智芯微电子科技有限公司,国网信息通信产业集团有限公司,国网江西省电力有限公司,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼
- 代理机构: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司
- 代理商 孙彦斌; 赵莎莎
- 主分类号: G02B6/13
- IPC分类号: G02B6/13 ; G02B6/122 ; G01N21/31
摘要:
本发明公开了一种波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器,波导的形成方法包括下列步骤:在硅衬底上生长绝缘层;在绝缘层的表面旋涂光刻胶;光刻光刻胶并形成波导结构;在波导结构内气相淀积玻璃以形成玻璃波导层;应用剥离技术除去没有被光刻的光刻胶以及位于波导结构以外的玻璃以形成波导主体;在波导主体上旋涂聚合物;光刻聚合物并固化后以形成腔室支柱;以及将腔室支柱的顶部通过键合技术形成腔室,多个腔室连接形成波导。本发明的波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器,其采用无源设计增加产品寿命、提升传感器灵敏度、具备实时在线监测功能。
公开/授权文献
- CN110501781A 波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器 公开/授权日:2019-11-26