三维存储器件的互连结构

发明授权

CN110520985B 三维存储器件的互连结构有权

摘要：

公开了3D存储器件和用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括衬底、存储器叠片、沟道结构和狭缝结构。存储器叠片包括在衬底之上的交织的导电层和电介质层。沟道结构垂直延伸穿过存储器叠片。狭缝结构垂直延伸穿过存储器叠片。狭缝结构的上端高于沟道结构的上端。

公开/授权文献

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/52	.用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538	..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构