Invention Grant
- Patent Title: 一种低密度双相高熵合金材料及其制备方法
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Application No.: CN201910835785.7Application Date: 2019-09-05
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Publication No.: CN110541104BPublication Date: 2021-02-19
- Inventor: 朱德智 , 吴吉鹏 , 郑振兴 , 刘一雄 , 刘是文
- Applicant: 华南理工大学
- Applicant Address: 广东省广州市天河区五山路381号
- Assignee: 华南理工大学
- Current Assignee: 华南理工大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市天河区五山路381号
- Agency: 广州市华学知识产权代理有限公司
- Agent 雷月华
- Main IPC: C22C30/02
- IPC: C22C30/02 ; C22C1/04 ; B22F3/105 ; B22F9/04
Abstract:
本发明公开了一种低密度双相高熵合金材料及其制备方法。该合金材料的元素组成为AlxTiyCrNiCu,其中x=0.5~3,y=0.5~3,其晶体结构为FCC+BCC双相结构,密度为5.18~7.14g/cm3。本发明方法采用机械合金化和放电等离子烧结技术(SPS)相结合的固态成形方法,该固态成形工艺所需温度低,烧结时间短,一次烧结即可获得成分均匀且近全致密的块体材料,可实现近净成形;所制备的高熵合金块体材料的晶粒细小,组织均匀;具有高的强度、硬度、耐磨性和良好的塑性等综合力学性能。
Public/Granted literature
- CN110541104A 一种低密度双相高熵合金材料及其制备方法 Public/Granted day:2019-12-06
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