本发明涉及一种5G金属/陶瓷复合电路板及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：利用PVD技术在预置孔的金属基板上交替沉积金属层和陶瓷层，即得所述5G金属/陶瓷复合电路板。本发明通过的金属/陶瓷复合电路板制备方法避免了金属/陶瓷复合电路板常规工艺(陶瓷/金属热扩散连接法)复杂、成品率低、价格昂贵、效率低、工艺不成熟等难点。此外，本发明的制备方法选用自带孔的金属基板，避免了陶瓷基板激光/机械复合钻孔成品率低、工作量大、钻孔技术不成熟的问题。本发明利用基于物理气相沉积技术与模板技术组合技术沉积金属层和陶瓷层，得到的金属/陶瓷复合电路板中各层的结合强度高，不易剥离，且工艺简单。