发明授权
- 专利标题: 一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法
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申请号: CN201910624436.0申请日: 2019-07-11
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公开(公告)号: CN110565078B公开(公告)日: 2021-01-01
- 发明人: 张兴凯 , 张俊彦 , 甘楠
- 申请人: 中国科学院兰州化学物理研究所 , 国网甘肃省电力公司电力科学研究院
- 申请人地址: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 专利权人: 中国科学院兰州化学物理研究所,国网甘肃省电力公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 中国科学院兰州化学物理研究所
- 当前专利权人地址: 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
- 代理机构: 北京轻创知识产权代理有限公司
- 代理商 胡智勇
- 主分类号: C23C18/16
- IPC分类号: C23C18/16 ; C25B1/04 ; B01J27/043
摘要:
本发明涉及铜表面制备钴硫薄膜的方法,具体为一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法,包括以下步骤:S1、制备逆置换沉积液:逆置换沉积液的组成及各组分的含量为:钴盐10‑200g/L,添加剂90‑320g/L,利用稀硫酸等将沉积液pH值调整为3‑7;S2、铜试样处理:采用砂纸打磨铜基底,去除表面的氧化物和污染物,然后在乙醇溶液中超声清洗,氮气吹干;S3、沉积镀膜:铜试样放入逆置换沉积液中沉积;S4、钴硫薄膜铜试样处理:取出铜试样,用去离子水清洗残留的沉积液,用氮气吹干;采用本发明方法,能够直接在铜表面制备高质量钴硫薄膜,并且具有沉积液组成简单,操作流程少、耗时短和成本低等优势。
公开/授权文献
- CN110565078A 一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法 公开/授权日:2019-12-13
IPC分类: