本发明公开了一种基于场控可调硅基发光的单片集成光电微显示器件，它包括自下而上依次设置的硅衬底、发光结构、金属互联层、隔离层和金属反射层；所述发光结构嵌于硅衬底中，发光结构包括由外而内依次设置的n型阱、n+型有源区、p+型有源区、薄氧化层和多晶硅栅，n+型有源区与n型阱的内壁之间设置有场氧化层，场氧化层的外壁与硅衬底相连、内壁与n+型有源区相连。本发明采用了栅控二极管的结构，利用p+n结反偏引起的雪崩击穿机制进行电致发光，发光区域转移至多晶硅栅的四周，使得发光区域大大增加。本发明适用于全硅单片集成光电微显示器件技术领域。