一种新型硅腐蚀工艺

Invention Grant

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Patent Title: 一种新型硅腐蚀工艺
Application No.: CN201910948925.1

Application Date: 2019-10-08
Publication No.: CN110660662B

Publication Date: 2021-02-02
Inventor: 崔文荣
Applicant: 江苏晟驰微电子有限公司
Applicant Address: 江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号
Assignee: 江苏晟驰微电子有限公司
Current Assignee: 江苏晟驰微电子有限公司
Current Assignee Address: 江苏省南通市海安经济技术开发区康华路55号
Agency: 北京天盾知识产权代理有限公司
Agent 张彩珍
Main IPC: H01L21/306
IPC: H01L21/306 ; H01L21/67

Abstract:

本发明公开了一种新型硅腐蚀工艺,包括以下步骤：A、准备需要进行腐蚀的硅材料以及酸；B、将硅片架采用支架固定；C、调整好蚀刻用酸的温度以及浓度；D、对硅片进行蚀刻；E、对蚀刻完成的硅片进行清洗甩干，本发明中将硅片一半浸泡在腐蚀液中，一半暴露在空气中进行旋转腐蚀均匀性能达到0.2mil，能满足当前的工艺需求，该蚀刻工艺在开发后直接用于当前所有产品在生产，大大提高了蚀刻工艺的成品率，降低了生产成本。

Public/Granted literature

CN110660662A 一种新型硅腐蚀工艺 Public/Granted day:2020-01-07

Information query

Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）