发明公开
- 专利标题: 具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法
- 专利标题(英): SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING RECESS IN ENCAPSULATION MATERIAL AND ASSOCIATED PRODUCTION METHODS
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申请号: CN201910596692.3申请日: 2019-06-28
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公开(公告)号: CN110660688A公开(公告)日: 2020-01-07
- 发明人: C·盖斯勒 , W·哈特纳 , C·韦希特尔 , M·沃杰诺维斯基
- 申请人: 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址: 德国诺伊比贝尔格
- 专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 德国诺伊比贝尔格
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 郑立柱; 闫昊
- 优先权: 102018210755.6 2018.06.29 DE
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/31 ; H01L21/56 ; H01L23/482 ; H01L23/488
摘要:
本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法,方法包括提供至少一个半导体组件,其中至少一个半导体组件中的每个包括:半导体芯片,其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面,和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料,其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上,其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
IPC分类: