发明公开
- 专利标题: 一种雪崩二极管高频参数低温测试系统
- 专利标题(英): Avalanche diode high-frequency parameter low-temperature testing system
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申请号: CN201910956345.7申请日: 2019-10-10
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公开(公告)号: CN110687424A公开(公告)日: 2020-01-14
- 发明人: 方岚 , 潘结斌 , 郑宇 , 张静 , 明源
- 申请人: 华东光电集成器件研究所
- 申请人地址: 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号
- 专利权人: 华东光电集成器件研究所
- 当前专利权人: 华东光电集成器件研究所
- 当前专利权人地址: 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号
- 代理机构: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所
- 代理商 陈俊
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明公开一种雪崩二极管高频参数低温测试系统,包括测试腔室,测试腔室内的底部设有升降支架,升降支架顶端设有介质冷却台,介质冷却台上设有温度传感器以及用于加载待测雪崩二极管的振荡器,振荡器上方设有环形器;测试腔室的侧壁分别设有第一波导元件、第二波导元件、第一电连接器与第二电连接器;测试腔室外部设有注锁信号源、雪崩管反偏电源、功率计、高频测试环路、谐波混频检测单元、温度传感器电源、真空泵、液氮罐、程控阀门、流量计、液氮回收装置、微控制器与显示屏;本发明可有效抑制现有在雪崩二极管低温测试时传输回路出现冷凝结霜导致传输损耗增加进而影响毫米波雪崩管输出效率降低的技术缺陷,保证器件测试的准确性。
公开/授权文献
- CN110687424B 一种雪崩二极管高频参数低温测试系统 公开/授权日:2021-05-18