- 专利标题: 一种稀土元素改善铜—石墨烯界面的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of rare earth element interface improved copper-graphene
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申请号: CN201910960585.4申请日: 2019-10-10
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公开(公告)号: CN110695372A公开(公告)日: 2020-01-17
- 发明人: 刘恩佐 , 钱苏宜 , 赵乃勤 , 师春生 , 何春年 , 何芳 , 马丽颖 , 沙军威
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市津南区海河教育园雅观路135号天津大学北洋园校区
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 程毓英
- 主分类号: B22F9/26
- IPC分类号: B22F9/26 ; B22F1/02 ; B22F3/14 ; C23C16/26
摘要:
本发明涉及一种稀土元素改善界面的铜-石墨烯复合材料,采用铜粉作为铜-石墨烯复合材料的母材,所采用的石墨烯是通过碳源在铜表面上原位生长出的,在铜-石墨烯界面间加入稀土元素进行修饰,经修饰后的界面在保证原有延伸率的前提下,结合强度能够提高10%~30%。本发明同时给出其制备方法。
公开/授权文献
- CN110695372B 一种稀土元素改善铜—石墨烯界面的制备方法 公开/授权日:2022-05-06