发明授权
CN110705058B 一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法
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申请号: CN201910886998.2申请日: 2019-09-19
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公开(公告)号: CN110705058B公开(公告)日: 2021-08-31
- 发明人: 杨伟 , 廖成晋 , 齐聪慧 , 赵志钦 , 胡皓全 , 雷世文 , 田径
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都行之专利代理事务所
- 代理商 胡晓丽
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06T17/20
摘要:
本发明公开了一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法:导入STL格式的模型文件,读取构成雷达目标的每个三角面元的相关信息;输入需要计算的参数;判断面元是否被入射波照亮,并标记打亮的面元;对每个被标记为照亮的三角面元,计算其表面电流和磁流:求解出每个被标记为照亮的三角面元引起的散射场将所有被标记为照亮的三角面元的散射场Esn都求解完毕后,根据矢量叠加原理,将其全部相加,得到总散射场;根据下式得到近场情况下雷达目标的RCS值σ0,并输出结果:本发明填补了目标近场RCS仿真算法领域的空白,特别是近场散射条件下不同面元的电磁仿真处理方式,更切合于实际工程场景。
公开/授权文献
- CN110705058A 一种针对超电大尺寸规模目标的近场电磁散射仿真方法 公开/授权日:2020-01-17