- 专利标题: 一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用
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申请号: CN201911005375.6申请日: 2019-10-22
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公开(公告)号: CN110724290B公开(公告)日: 2021-08-13
- 发明人: 姚洪岩 , 孙忠晖 , 关绍巍
- 申请人: 吉林大学
- 申请人地址: 吉林省长春市前进大街2699号
- 专利权人: 吉林大学
- 当前专利权人: 吉林大学
- 当前专利权人地址: 吉林省长春市前进大街2699号
- 代理机构: 长春吉大专利代理有限责任公司
- 代理商 刘世纯; 王恩远
- 主分类号: C08J7/02
- IPC分类号: C08J7/02 ; C08J5/18 ; C08L65/00 ; C08L25/18 ; C08L71/02 ; C08K5/053
摘要:
一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用,属于导电高分子材料领域。本发明中高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜的制备方法,其步骤如下,首先将有机掺杂剂加入到PEDOT:PSS水溶液中,搅拌下配成均匀混合溶液;然后该混合溶液滴涂至清洗后的玻璃片上,烘干成膜;再将得到的膜冷却后放在水中浸泡并搅拌;最后将膜从水中取出后,烘干即得到高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜,膜的厚度范围为2~20μm。本发明制备的厚膜的电导率比本征PEDOT:PSS膜提高了1000多倍。这种自支撑PEDOT:PSS厚膜不需要基底,制备方法简单、成本低,厚度具有优良的可调控性,并且具有优异的柔韧性,在柔性电子、热电材料等领域具有巨大的发展潜力和应用价值。
公开/授权文献
- CN110724290A 一种高电导率PEDOT:PSS自支撑厚膜、制备方法及其应用 公开/授权日:2020-01-24