本发明提供一种分栅式非易失性存储器及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一半导体衬底，于半导体衬底内形成若干个浅沟槽隔离结构，于半导体衬底内隔离出有源区；2）于半导体衬底上形成字线；3）于半导体衬底内形成源极及漏极，并于字线邻近源极一侧的侧壁上形成浮栅，浮栅的顶部与所述字线相接触的部分呈一尖角状凸缘；4）采用刻蚀工艺去除部分字线，使浮栅顶部的尖角状凸缘高于字线顶部；5）于浮栅顶部形成隧穿介质层及擦除栅；6）于漏极上形成导电栓塞，并于导电栓塞上形成金属位线。通过本发明可以显著增加浮栅与擦除栅之间的FN隧穿效应，可以增加擦除栅与浮栅之间的隧穿介质层的厚度，从而避免漏电流的发生。