发明授权
- 专利标题: 一种模拟K气藏断缝孔渗流的方法
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申请号: CN201810867008.6申请日: 2018-08-01
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公开(公告)号: CN110807235B公开(公告)日: 2023-07-25
- 发明人: 魏聪 , 王振彪 , 张承泽 , 陈东 , 陈雷 , 唐永亮 , 李海明 , 宋丙慧 , 王翠丽 , 刘磊 , 罗辑 , 张同辉 , 白晓佳 , 滕藤 , 张永宾
- 申请人: 中国石油天然气股份有限公司
- 申请人地址: 北京市东城区东直门北大街9号中国石油大厦
- 专利权人: 中国石油天然气股份有限公司
- 当前专利权人: 中国石油天然气股份有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市东城区东直门北大街9号中国石油大厦
- 代理机构: 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理商 刘会景; 黄健
- 主分类号: G06F30/20
- IPC分类号: G06F30/20 ; G06F119/14
摘要:
本发明提供一种模拟K气藏断缝孔渗流的方法,包括:根据气藏构造、储层和流体特征,结合实际井组干扰试井数据,建立考虑井间断层的三维两相井组数值模拟机理模型,获取K气藏的压力传播特征和水侵特征。本发明提供的模拟K气藏断缝孔渗流的方法,考虑井间断层的影响,研究K气藏的渗流特征,能够据此深化气藏断裂特征认识、水侵规律研究以及实现裂缝性油气藏的合理开发。
公开/授权文献
- CN110807235A 一种模拟K气藏断缝孔渗流的方法 公开/授权日:2020-02-18