发明授权
- 专利标题: 一种压力应力传感器的制备方法及其应用
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申请号: CN201910898430.2申请日: 2019-09-23
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公开(公告)号: CN110849510B公开(公告)日: 2021-06-01
- 发明人: 吴巍炜 , 周赣东 , 胡文文 , 刘芳
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市长安区兴隆段西安电子科技大学
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市长安区兴隆段西安电子科技大学
- 代理机构: 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司
- 代理商 孙惠娜
- 主分类号: G01L1/12
- IPC分类号: G01L1/12 ; B82Y15/00
摘要:
本发明涉及利用磁性纳米片制作压力应力传感器技术领域,具体公开了一种兼具仿生结构、高弹性、高灵敏度、快速响应回复的压力应力传感器的制备方法,包括如下工艺:首先将水溶性的Co通过溶液反应制备出氢氧化钴,然后将得到的产物在还原剂水合肼的作用下得到Co纳米片,将Co纳米片放入设计好的模具中,然后加入PDMS混合液凝固后加装电极得到目标传感器;本发明使用的原料来源广泛,价格低廉,其具有独特的仿生结构,器件响应快,兼具高柔弹性、高灵敏度,并且制作工艺简单,并且上述制备方法制备的压力应力传感器可用于人造电子皮肤的压力应力的传感。
公开/授权文献
- CN110849510A 一种压力应力传感器的制备方法及其应用 公开/授权日:2020-02-28