- 专利标题: 一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法
-
申请号: CN201911162736.8申请日: 2019-11-25
-
公开(公告)号: CN110854252B公开(公告)日: 2020-11-17
- 发明人: 黄凯 , 刘春雷
- 申请人: 厦门钜智光电有限公司
- 申请人地址: 福建省厦门市同安区美溪道湖里工业园73号2楼
- 专利权人: 厦门钜智光电有限公司
- 当前专利权人: 厦门钜智光电有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市同安区美溪道湖里工业园73号2楼
- 代理机构: 重庆天成卓越专利代理事务所
- 代理商 谭春艳
- 主分类号: H01L33/46
- IPC分类号: H01L33/46 ; H01L33/00
摘要:
本发明公开了一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法,其特征在于:在深紫外LED表面沉积铝纳米颗粒阵列,在所述铝纳米颗粒阵列外进一步沉积有铑壳层。本发明方法制得铝铑核壳结构纳米颗粒阵列,纳米颗粒尺寸密度可调控,有利于制备电学/光电器件。采用铝纳米颗粒阵列+铑壳层的结构可在大幅提高器件光抽取效率的同时,增强器件稳定性并降低生产成本。同时,本制备方法条件简单,不需要复杂设备,在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
公开/授权文献
- CN110854252A 一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法 公开/授权日:2020-02-28
IPC分类: