发明公开
- 专利标题: 半导体器件
-
申请号: CN201910500036.9申请日: 2019-06-11
-
公开(公告)号: CN110875393A公开(公告)日: 2020-03-10
- 发明人: 金成洙 , 罗采昊 , 安圭焕 , 卢东贤 , 玄尚镇
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 陈亚男; 尹淑梅
- 优先权: 10-2018-0105339 2018.09.04 KR
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L27/088 ; H01L21/8234
摘要:
提供了一种半导体器件。该半导体器件包括基底,基底具有分隔开并且平行地纵向延伸的第一鳍和第二鳍。鳍残余设置在第一鳍与第二鳍之间,与第一鳍和第二鳍平行地纵向延伸,并且具有比第一鳍和第二鳍中的每个的高度低的高度。第一场绝缘层设置在第一鳍的侧壁与鳍残余的第一侧壁之间,第二场绝缘层设置在第二鳍的侧壁上。阻挡衬里沿由鳍残余的第二侧壁和第二场绝缘层的侧壁界定的沟槽的侧壁和底表面设置。沟槽绝缘层在沟槽中设置在阻挡衬里上。
公开/授权文献
- CN110875393B 半导体器件 公开/授权日:2024-06-28