本发明公开了一种金属铟修饰的硅光电阴极薄膜制备方法，将硅片依次置于有机溶剂清洗剂和去离子水中超声清洗30±10分钟，其后将硅片放入10±5％氢氟酸水溶液中刻蚀20-100秒备用；2)将金属铟盐In(NO3)3·4H2O或InCl3溶解于1±0.3M NaNO3溶液中，制得0.02M的In(NO3)3·4H2O或InCl3溶液，用于光辅助硅光电极的电沉积；将清洗好的硅片与电化学工作站连接，在-1.0V(vs.SCE)电位下，通过紫外可见光照30±10秒，得到金属铟修饰的硅光电阴极薄膜。该法制备得到的金属铟修饰的硅光电阴极薄膜在光电催化水分解、二氧化碳还原等领域具有较大应用潜力。