发明授权
CN110911667B 一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法
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申请号: CN201911199790.X申请日: 2019-11-29
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公开(公告)号: CN110911667B公开(公告)日: 2021-03-19
- 发明人: 梁攀飞 , 张佳颖 , 李婷 , 曹江行 , 邹文珍 , 杨华 , 范美强
- 申请人: 中国计量大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号中国计量大学
- 专利权人: 中国计量大学
- 当前专利权人: 中国计量大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市江干区下沙高教园区学源街258号中国计量大学
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/38 ; H01M4/583 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及一种空心结构的多层硅‑碳复合电极材料制备方法,通过有机硅水解在镁表面沉积二氧化硅、镁和氯化铝低温热还原、原位生长MOF材料、高温碳化、再有机硅水解沉积二氧化硅、再镁和氯化铝低温热还原、再原位生长MOF材料、再高温碳化,获得空心结构的多层硅‑碳复合电极材料。硅‑碳复合电极材料的层数为2~5;硅与碳的摩尔比为(0.2~5):1,且每层硅与碳的摩尔比是不一样的,且硅与碳的摩尔比从最里层到最外层逐渐减小。该硅‑碳复合电极材料具有很好的电化学性能,在锂离子电池领域具有很好的应用前景。
公开/授权文献
- CN110911667A 一种空心结构的多层硅-碳复合电极材料制备方法 公开/授权日:2020-03-24