用于形成三维(3D)存储器件的方法的实施例包括以下操作。首先，在衬底上方交替布置的多个第一层和多个第二层的堆叠结构中形成初始沟道孔。在初始沟道孔的侧壁上的多个第一层中的每一个的侧表面和多个第二层中的每一个的侧表面之间形成偏移，以形成沟道孔。还通过利用沟道形成结构填充沟道孔来形成半导体沟道。所述半导体沟道可以具有存储器层，所述存储器层具有围绕每个第二层的底部的第一存储器部分以及连接相邻的第一存储器部分的第二存储器部分。所述第一存储器部分和所述第二存储器部分可以沿着垂直方向交错。