本发明公开了一种硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末，所述硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末含有所述β-硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子，其中不含纵横比大于2的荧光体粒子，所述荧光体粒子的纵横比的平均值小于1.5，其粒度分布曲线中的中值粒经(D50)为3.0～10μm。本发明还公开了硅铝氧氮陶瓷荧光体粉末的制备方法，将粒径为2μm以上、纵横比的平均值为1.3以下的α型氮化硅粒子，在0.05MPa～100MPa的氮气氛中、于1700～2100℃进行焙烧。按照本发明，采用特定的制造方法，可以制造纵横比小的硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子。另外，通过采用由该法得到的包含纵横比小的硅铝氧氮陶瓷荧光体粒子的荧光体粉末，可以提供高亮度的荧光体。采用本发明的氮氧化物荧光体与激发源，也可制造图像显示装置。