发明公开
- 专利标题: 高纯铟的区熔装置及区熔方法
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申请号: CN201911239129.7申请日: 2019-12-06
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公开(公告)号: CN110923479A公开(公告)日: 2020-03-27
- 发明人: 郭学益 , 张磊 , 田庆华 , 李栋 , 许志鹏 , 朱刘 , 胡智向
- 申请人: 中南大学 , 广东先导稀材股份有限公司
- 申请人地址: 湖南省长沙市麓山南路932号
- 专利权人: 中南大学,广东先导稀材股份有限公司
- 当前专利权人: 中南大学,广东先导稀材股份有限公司
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市麓山南路932号
- 主分类号: C22B58/00
- IPC分类号: C22B58/00 ; C22B9/16
摘要:
本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。
公开/授权文献
- CN110923479B 高纯铟的区熔装置及区熔方法 公开/授权日:2024-03-26