- 专利标题: 纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料及其制备方法
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申请号: CN201811146610.7申请日: 2018-09-29
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公开(公告)号: CN110963523A公开(公告)日: 2020-04-07
- 发明人: 刘元锋 , 侯泽成 , 陈璐 , 朱琳 , 李文珍
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室
- 主分类号: C01G3/02
- IPC分类号: C01G3/02 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
一种纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料,由一纳米多孔铜基底及一氧化铜纳米片阵列组成。所述纳米多孔铜基底与所述氧化铜纳米片阵列化学结合在一起,且所述氧化铜纳米片阵列设置在所述纳米多孔铜基底的一个表面。另外,本发明还涉及一种纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料的制备方法。
公开/授权文献
- CN110963523B 纳米多孔铜负载氧化铜纳米片阵列复合材料及其制备方法 公开/授权日:2021-11-05
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