发明公开
- 专利标题: 在镁合金表面用氩离子刻蚀制备高耐腐蚀Al薄膜的方法
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申请号: CN201911294596.X申请日: 2019-12-16
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公开(公告)号: CN111020505A公开(公告)日: 2020-04-17
- 发明人: 郭兴伍 , 叶恩 , 聂乐文 , 高晨璟 , 彭立明
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海汉声知识产权代理有限公司
- 代理商 胡晶
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/16 ; C23C14/58
摘要:
本发明公开一种在镁合金表面用氩离子刻蚀制备高耐腐蚀Al薄膜的方法;包括:将基体装入带有偏压电源的磁控溅射镀膜机真空室;抽真空,进行辉光清洗;磁控溅射Al薄膜,每沉积一段时间的Al膜层后进行氩离子刻蚀;依次重复n次,最后再沉积一段时间的Al膜层。通过调整氩气流量、负偏压大小以及刻蚀时间等最终在镁合金表面制得具有高耐腐蚀性能的Al薄膜。本发明在AZ91D镁合金上制备得到的在不同负偏压下经过氩离子刻蚀的Al薄膜的耐腐蚀性能明显优于未经刻蚀的Al薄膜。其中,在600V下经过刻蚀的Al薄膜的耐腐蚀性能最佳,自腐蚀电流密度降低了两个数量级,从49.7μA/cm2降为0.1μA/cm2。