本发明提供了一种硅颗粒作为形核源的坩埚制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在坩埚表面制备高纯度石英砂涂层，且所述高纯度石英砂中SO2质量分数≥99.999%；S2：在所述高纯度石英砂涂层表面制备氮化硅涂层；S3：在所述氮化硅涂层表面制备陶瓷胶涂层；S4：在所述陶瓷胶涂层表面制备硅颗粒涂层。本发明利用高纯度硅颗粒作为形核源，铸锭过程采用同质形核方式制备了全熔高效多晶硅片，大幅降低了喷涂和铸锭工艺技术要求，获得了具有均匀细小晶花的高效硅锭，避免晶粒尺寸分布不均匀、位错密度高的问题。