- 专利标题: 一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法
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申请号: CN201911395862.8申请日: 2019-12-30
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公开(公告)号: CN111041421A公开(公告)日: 2020-04-21
- 发明人: 王振龙 , 王振 , 张甲
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司
- 代理商 张金珠
- 主分类号: C23C14/16
- IPC分类号: C23C14/16 ; C23C14/02 ; C23C14/35 ; C23C14/58
摘要:
本发明公开了一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法,属于功能梯度形状记忆合金薄膜领域。本发明要解决狭小空间中需要薄膜具备微小型、高致密性的技术问题。本发明方法:一、Si片依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗;二、通过光刻技术将设计的图形转移到步骤一处理后的Si片上,保证Si片凹槽深度是薄膜单层厚度的奇数倍;三、采用双靶溅射的方式,在惰性气体保护下将Ti和Ni交替溅射到步骤二处理后的Si基片上,磨平;四、然后旋涂PMMA,再置于HF溶液中去除Si片,将突出部分磨平;五、然后置于丙酮溶液中去除PMMA;六、重结晶退火。本发明应用于生物医疗、航空航天等领域,传统记忆合金一般会实现单方向的弯曲,径向梯度薄膜可以实现多方向的弯曲。
公开/授权文献
- CN111041421B 一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法 公开/授权日:2022-04-22