单一芯片全桥TMR磁场传感器，包括：磁电阻元件及偏置电流支路，所述磁电阻元件桥式连接形成全桥结构；所述磁电阻元件包括自由层、钉扎层及偏置电流层，所述偏置电流层与所述偏置电流支路相连，所述偏置电流支路向所述偏置电流层输入偏置电流；位于相邻桥臂上的磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相反，位于相对桥臂上磁电阻元件中偏置电流层内电流的方向相同。本发明在磁电阻元件中设置偏置电流层，利用偏置电流层改变磁电阻元件中自由层的磁化方向，实现对外部磁场的敏感相应，本发明的磁场传感器可以一次性在单一芯片上形成全桥结构，大大降低了单一芯片全桥磁传感器制备工艺的难度和生产成本。