发明公开
- 专利标题： 以钛网为基底的多孔二硫化钴催化剂制备方法、多孔二硫化钴晶体纳米片及用途
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申请号： CN201911330750.4申请日： 2019-12-20
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公开(公告)号： CN111097451A公开(公告)日： 2020-05-05
- 发明人: 高珊珊 , 蒋宇 , 宋晓明 , 徐功臣 , 陈夫山 , 吴炳震 , 刘金岭
- 申请人： 青岛科技大学
- 申请人地址： 山东省青岛市市北区郑州路53号
- 专利权人： 青岛科技大学
- 当前专利权人： 青岛科技大学
- 当前专利权人地址： 山东省青岛市市北区郑州路53号
- 代理机构： 北京力量专利代理事务所
- 代理商 姚远方
- 主分类号： B01J27/043
- IPC分类号： B01J27/043 ; B01J37/10 ; B01J37/06 ; B01J35/10 ; C01G51/00 ; B82Y40/00 ; C25B1/04 ; C25B1/02 ; C25B11/06 ; C25B11/03 ; C02F1/467 ; C02F1/72 ; C02F101/38
摘要：
本发明涉及一种纳米材料技术领域，尤其是涉及一种以钛网为基底的多孔二硫化钴催化剂制备方法、多孔二硫化钴晶体纳米片及用途；采用水热合成工艺，合成以钛网为基底的钴铝化合物前驱体；对以钛网为基底的钴铝化合物前驱体进行刻蚀，去除钴铝化合物前驱体中的铝元素，得到以钛网为基底的多孔氢氧化钴晶体；将以钛网为基底的多孔氢氧化钴晶体与含硫化合物混合，调控硫元素与钴元素比例，通过水热合成工艺合成以钛网为基底的多孔二硫化钴晶体纳米片。
