- 专利标题： 一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS2薄膜材料的方法
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申请号： CN202010038029.4申请日： 2020-01-14
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公开(公告)号： CN111101180B公开(公告)日： 2022-03-11
- 发明人: 李作鹏 , 杨肖萌 , 秦君 , 郭永 , 冯锋
- 申请人： 山西大同大学
- 申请人地址： 山西省大同市兴云街1号
- 专利权人： 山西大同大学
- 当前专利权人： 甘肃景邦环保科技有限公司
- 当前专利权人地址： 730900 甘肃省白银市白银区合作五路22号
- 代理机构： 太原晋科知识产权代理事务所
- 代理商 郑晋周
- 主分类号： C25D9/04
- IPC分类号： C25D9/04 ; C25B1/00 ; C25B1/50
摘要：
一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS2薄膜材料的方法，属于二硫化钼薄膜材料的制备技术领域，可解决现有MoS2纳米材料的合成存在成膜温度高、沉积速率低、参加沉积的反应源和反应后的余气易燃、易爆或有毒、需防止环境污染等问题，本发明以四硫代钼酸铵为钼源和硫源，以低共熔离子液体为电解质，在紫铜、黄铜、不锈钢等基底上进行电沉积，制备方法简单快速、薄膜便于控制，为尤其在固体润滑材料、光电池、锂电池和其他方面的广泛应用提供了可能。
公开/授权文献
- CN111101180A 一种低共熔离子液体中电沉积制备MoS2薄膜材料的方法 公开/授权日：2020-05-05
